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    半導體晶圓形貌測量系統

    簡要描述:WD4000半導體晶圓形貌測量系統采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數。

    • 廠商性質:生產廠家
    • 更新時間:2025-03-09
    • 訪  問  量:1081

    詳細介紹

    品牌中圖儀器產地國產
    加工定制

    WD4000半導體晶圓形貌測量系統采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數。

    半導體晶圓形貌測量系統

    WD4000半導體晶圓形貌測量系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

    1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時生成Mapping圖;

    2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數;

    3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能;

    4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。


    測量功能

    1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

    2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

    3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。

    4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。

    半導體晶圓形貌測量系統

    產品優勢

    1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量

    集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組,使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。

    2、高精度厚度測量技術

    (1)采用高分辨率光譜共焦對射技術對Wafer進行高效掃描。

    (2)搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤,晶圓規格最大可支持至12寸。

    (3)采用Mapping跟隨技術,可編程包含多點、線、面的自動測量。

    3、高精度三維形貌測量技術

    (1)采用光學白光干涉技術、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

    (2)隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲,獲得高測量重復性。

    (3)機器視覺技術檢測圖像Mark點,虛擬夾具擺正樣品,可對多點形貌進行自動化連續測量。

    4、大行程高速龍門結構平臺

    (1)大行程龍門結構(400x400x75mm),移動速度500mm/s。

    (2)高精度花崗巖基座和橫梁,整體結構穩定、可靠。

    (3)關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引、AC伺服直驅電機驅動,搭配分辨率0.1μm的光柵系統,保證設備的高精度、高效率。

    5、操作簡單、輕松無憂

    (1)集成XYZ三個方向位移調整功能的操縱手柄,可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準工作。

    (2)具備雙重防撞設計,避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發生的損壞情況。

    (3)具備電動物鏡切換功能,讓觀察變得快速和簡單。

    半導體晶圓形貌測量系統

    應用場景

    1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

    半導體晶圓形貌測量系統

    通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。


    2、無圖晶圓粗糙度測量

    半導體晶圓形貌測量系統

    Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。


    部分技術規格

    型號WD4200
    厚度和翹曲度測量系統
    可測材料砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等
    測量范圍
    150μm~2000μm
    測量參數厚度、TTV(總體厚度變 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、線粗糙度
    三維顯微形貌測量系統
    測量原理白光干涉
    測量視場0.96mm×0.96mm
    可測樣品反射率
    0.05%~ 100%
    測量參數顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數
    系統規格
    晶圓尺寸4"  、6"  、8"  、 12"
    晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
    X/Y/Z工作臺行程
    400mm/400mm/75mm
    工作臺負載≤5kg
    外形尺寸1500× 1500×2000mm
    總重量約 2000kg

    懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。

    如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯系中圖儀器咨詢。


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